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PERC電池片激光設(shè)備
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晶圓劃片設(shè)備
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為了減少金屬電極遮蔭面積，MWT工藝把晶圓正面的電極通過均勻分布的許多通孔引導(dǎo)到晶圓的背面，從而提高了晶圓接受陽光的有效面積和電池片的效率。晶硅電池片厚度小于200um，激光鉆孔速度快，精度高，可以精確控制孔的直徑和內(nèi)壁的坡度，適用于MWT工藝。
降低晶圓正面電極遮蔭面積，增加有效陽光吸收面積，提高電池片能量轉(zhuǎn)換效率
激光鉆孔速度快，質(zhì)量高，適用于量產(chǎn)線
電池片效率可提高0.5%
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